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关于igbt模块的作用，igbt模块原理图解这个很多人还不知道，今天小华来为大家解答以上的问题，现在让我们一起来看看吧！

igbt模块的作用 igbt模块原理图解

1、IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

2、 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。

3、N+ 区称为漏区。

4、器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。

5、沟道在紧靠栅区边界形成。

6、在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region )。

7、而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。

8、附于漏注入区上的电极称为漏极。

9、　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。

10、反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。

11、IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。

12、当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助。

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